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第188章 极紫外光源研制成功了（第3页）

虽然之前已经通过花为的牵线搭桥和燧人科技搭上了，主要是合作改造现有光刻机。

而这个改造的光刻机主要是28n的光刻机，因为现在国内的光刻机也只能勉强达到28n工艺。

据魔都微电子透露，明年他们有望交付首台国产28纳米工艺浸没式光刻机。

算是在刚好迈在高端光刻领域的门槛，也就是现在国内的光刻科技水平还停留在中端水平。

根据光刻机工艺水平，光刻机主要划分为超高端、高端、中端、低端四个层次。

首先，光源euv135n、节点5n7n的光刻机是处于超高端层次的，全球只有asl这一家公司可以组装制造。

其次，光源arf+浸入式，节点在7~28n处于高端层次的。

最后，光源arfkrfi-le，且节点是65n+或90n+的，分别处于中端、低端层次。

注意，这里的arfkrf指的是深紫外光刻光源。

想要制作更好的的芯片，那就得造出更好的光源，比如极紫外光源（euv）。

即使是这种arf28n光刻机和asl公司最先进的euv5n光刻机工艺有着天壤之别。

但是也能将国内的光刻水平提升到世界先进水平，完全可以满足常见的射频芯片、蓝牙芯片、功放芯片、电器的驱动芯片等绝大部分逻辑芯片的要求，以及大部分数字芯片的要求。

陈所长也听说三桑目前正在研究3n芯片工艺的光刻机，也许很多人都以为很厉害，但是对于他这种业界的人自然知道其中的道道。

现在的7n或5n芯片，不是从前的含义，最准确的是牙膏厂的命名，只是它也学坏了。

芯片的纳米制程并不是真的几纳米，更多是一种更新迭代的说法。

上一代可能是4n，下一代根据摩尔定律乘以根号7，差不多3n。

以前的制程是指晶体管的宽度，现在则是晶体管的沟道宽度，就出了这种个位数的纳米制程。

就像目前三桑研究的3n光刻机，由于极紫外光刻技术受到光电效应的影响，可能其实际线精度在十几纳米或20纳米。

不过这种纳米制程的芯片如果不用euv光刻机的话，也是弄不了的。

虽然各厂家的命名方法各有所别，但也不是完全没有意义。

长光机电所也在为接下来的14n工艺光刻机刻苦攻坚。

只是没有极紫外光源，想要做成这样的光刻机恐怕很难。

“唉~”

陈所长也知道这需要不长的时间，可能几年、几十年，甚至最坏的结果——失败。

但是还是要继续攻研技术，要不然以后只能被人牵着牛鼻子走啊。

就在陈所长满心忧愁的时候，一个电话响了起来，打断了他的思绪。

他接起来一听，顿时眼睛睁瞪如灯笼般大小，惊声道：

“什么?燧人科技的极紫外光源成功了？！”

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